时间：2025/8/24 22:29:29
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FJP2160D 是一款由 Fuji Electric（富士电机）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效能和高可靠性，适用于如开关电源、DC-DC 转换器以及电池充电系统等多种高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600 V
栅源电压（Vgs）：±30 V
漏极电流（Id）：15 A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约 0.45 Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：150 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
FJP2160D 的设计强调了其在高电压和高电流环境下的稳定性与效率。
其高耐压能力（600V Vds）使其非常适合用于高压电源转换器和工业设备中。
低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，FJP2160D 还具备良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，确保在严苛环境下依然可靠运行。
它的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少外部滤波元件的体积和成本。
FJP2160D 常用于多种功率电子设备中，包括但不限于：
开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
DC-DC 转换器，如 Boost 或 Buck 电路
电机驱动和控制电路
电池充电器和不间断电源（UPS）系统
工业自动化设备和电源管理系统
LED 照明驱动器等高效能要求的应用场景
FJP2160D 的替代型号包括：FQA16N60C、IRFPC60W、STP16NF60FD、2SK2160、FJP2160、FJP2160A
