FJP2160D 是一款由 Fuji Electric(富士电机)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效能和高可靠性,适用于如开关电源、DC-DC 转换器以及电池充电系统等多种高功率应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):600 V
栅源电压(Vgs):±30 V
漏极电流(Id):15 A(连续)
导通电阻(Rds(on)):约 0.45 Ω(最大值)
功率耗散(Pd):150 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
FJP2160D 的设计强调了其在高电压和高电流环境下的稳定性与效率。
其高耐压能力(600V Vds)使其非常适合用于高压电源转换器和工业设备中。
低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,FJP2160D 还具备良好的热稳定性,能够承受较高的工作温度,确保在严苛环境下依然可靠运行。
它的封装形式(TO-220)提供了良好的散热性能,便于在 PCB 上安装和使用。
该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减少外部滤波元件的体积和成本。
FJP2160D 常用于多种功率电子设备中,包括但不限于:
开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器
DC-DC 转换器,如 Boost 或 Buck 电路
电机驱动和控制电路
电池充电器和不间断电源(UPS)系统
工业自动化设备和电源管理系统
LED 照明驱动器等高效能要求的应用场景
FJP2160D 的替代型号包括:FQA16N60C、IRFPC60W、STP16NF60FD、2SK2160、FJP2160、FJP2160A