时间：2025/8/24 17:20:22
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FJNS4202R是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻和高速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动和电池供电设备等领域。FJNS4202R采用紧凑型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.7A
最大漏-源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：最大2.0Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP
FJNS4202R具有多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高速开关性能使它非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。此外，该器件的高耐压能力（200V VDS）确保其在高压环境中稳定运行。
该MOSFET采用SOP封装，具有良好的热管理和散热性能，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。其栅极驱动电压范围较宽，可在不同驱动条件下保持稳定工作，提高设计灵活性。
另外，FJNS4202R具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种工业、消费类和通信设备中的功率控制电路。其低输入电容和开关损耗也使其在高频应用中表现优异。
FJNS4202R广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备以及各种工业和消费类电子产品中。由于其高压和低导通电阻特性，特别适用于需要高效能和高可靠性的功率转换场合。
SiHP02NQ+、IRF540N、FDPF12N20FS、FQA10N20C
