时间：2025/8/24 11:57:03
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FDS8936_NL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，适用于高效能功率转换应用。该器件封装在紧凑的 SO-8 封装中，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。FDS8936_NL 的设计旨在提供高效的开关性能和较低的导通损耗，适用于需要高效率和高可靠性的现代电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET（双通道）
最大漏极电流（ID）：6.3A（单通道）
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：19mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.2V 至 2.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SO-8
FDS8936_NL 采用先进的 Trench 技术制造，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持双通道设计，每个通道均可独立使用，适用于复杂的功率控制应用。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高负载条件下仍能保持良好的性能。FDS8936_NL 还具备良好的开关特性，支持高频操作，适用于开关电源、同步整流器和负载开关等应用。此外，该器件采用 SO-8 封装，具有较小的封装尺寸，便于 PCB 布局，并支持自动贴片工艺。FDS8936_NL 的高可靠性设计确保其在工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的电子系统。
FDS8936_NL 主要用于电源管理领域，例如 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统和同步整流器等。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于高性能电源模块、服务器电源、通信设备和工业控制系统。此外，该器件还可用于电机控制、LED 驱动器以及便携式电子设备的功率管理电路。
Si7461DP-T1-GE3, FDS8945, FDMS8878, AO4406A
