类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　漏极电流(ID)：持续30A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值5.3mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(PD)：150W
　　栅极电荷(Qg)：85nC @ VGS=10V

FJA4310-0功率MOSFET具备多项优异的电气和物理特性，首先其低导通电阻特性有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的高耐压能力（VDS=100V）使其适用于中高压功率转换电路。此外，FJA4310-0在栅极驱动方面具有较低的栅极电荷（Qg=85nC），有利于实现快速开关动作，降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以增强热管理能力。该器件的工作温度范围较宽（-55°C至+175°C），适应性强，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、汽车电子和消费类电源设备等。
　　此外，FJA4310-0具备良好的短路耐受能力，增强了其在实际应用中的可靠性和稳定性。该器件还具有较强的电流承载能力（连续漏极电流可达30A），使其能够胜任大功率负载的控制任务。

FJA4310-0功率MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高效率、高电流能力和高耐压特性使其成为许多高功率密度设计中的理想选择。
　　在电源管理应用中，FJA4310-0可用于构建高效的同步整流电路和功率因数校正（PFC）电路；在电机控制和负载开关中，其低导通电阻和高可靠性使其能够有效降低功耗并提升系统寿命。此外，在汽车电子系统中，例如车载充电器或电机控制模块中，该器件的宽工作温度范围和高可靠性也使其具备良好的适应性。

IRF1404, Si4410BDY, FDPF4N60FS, STP30NF10