FJ42X102K302EFG是一款由富士通(Fujitsu)生产的高性能钽电容器。该器件主要应用于需要高稳定性和低ESR(等效串联电阻)的电路中,例如电源滤波、去耦以及信号处理等领域。其封装形式为表面贴装(SMD),具有小型化和轻量化的特点,非常适合现代电子设备对空间和重量的严格要求。
容量:10μF
额定电压:30V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
ESR(等效串联电阻):≤ 20mΩ
耐纹波电流能力:270mA(在100kHz,20°C条件下)
尺寸:3.2mm x 1.6mm x 1.9mm (长x宽x高)
封装类型:SMD
介质材料:固体钽
FJ42X102K302EFG采用固体钽作为介质材料,具备优异的电气性能和可靠性。
1. 高稳定性:该电容器在宽温度范围内表现出极高的容量稳定性,适用于极端环境下的应用。
2. 低ESR特性:较低的等效串联电阻使得该器件能够有效降低高频噪声,并提高电源系统的效率。
3. 长寿命设计:通过优化制造工艺和材料选择,FJ42X102K302EFG能够在长时间使用后仍保持良好性能。
4. 小型化与轻量化:紧凑的外形使其成为便携式电子产品理想的选择。
5. 环保合规:符合RoHS标准,满足绿色制造需求。
FJ42X102K302EFG广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信领域中的各种电路:
1. 在电源管理模块中用作滤波电容,以减少输出电压波动。
2. 作为去耦电容,用于稳定集成电路供电并抑制干扰信号。
3. 在音频处理电路中提供平滑作用,改善音质表现。
4. 还可应用于数据存储系统中的缓存保护电路,确保断电时数据完整性。
AVX TPS107M030RNTA, KEMET T521D106K035A