FIR60N06LG 时间：2025/8/25 2:44:27 阅读：22

FIR60N06LG 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用。其封装形式为 TO-220，便于散热并适合各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：60A（@25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：≤28mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗 PD：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220
　　输入电容 Ciss：2000pF
　　开启延迟时间 td(on)：12ns
　　关断延迟时间 td(off)：40ns

特性

FIR60N06LG 具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够在大功率负载条件下稳定工作。此外，其封装设计具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适用于多种栅极驱动电路。其快速开关特性（包括短延迟时间和低上升/下降时间）使其非常适合用于高频开关电源和同步整流器等应用。
　　此外，FIR60N06LG 还具备较强的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在异常工作条件下提供更高的鲁棒性。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

FIR60N06LG 主要用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、马达驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换应用的理想选择。此外，由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也常用于汽车电子、消费类电子产品和通信设备中。