HY638256J-15是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片的容量为256千位(Kx16),采用快速页面模式(Fast Page Mode)设计,存取时间15纳秒(ns),适用于需要高速数据存取的计算机和工业控制系统。HY638256J-15采用常见的封装形式,广泛用于早期的个人计算机、工业控制板卡以及嵌入式系统中。
容量:256Kx16位
组织结构:16位数据宽度
电压:5V
封装:50引脚TSOP或SOJ
存取时间:15ns
工作温度范围:0°C至70°C
接口类型:并行接口
内存类型:DRAM
刷新周期:64ms
HY638256J-15具备快速页面模式(Fast Page Mode, FPM)功能,使得在同一行地址下的多个列地址可以连续读写,从而提高了数据访问效率。这种模式在早期的计算机系统中非常常见,尤其是在没有同步DRAM(如EDO或SDRAM)的情况下。该芯片的5V电压设计使其兼容大多数传统主板和控制系统,确保了稳定的运行。此外,HY638256J-15的50引脚TSOP或SOJ封装形式,便于安装和散热管理,适合在多种电子设备中使用。
该DRAM芯片的存取时间为15ns,意味着其数据访问速度较快,适用于对速度有一定要求的系统应用。刷新周期为64ms,符合标准DRAM的刷新要求,保证了数据的完整性。其并行接口设计使得它可以与多种控制器直接连接,降低了系统设计的复杂度。此外,该芯片支持工业级的工作温度范围(0°C至70°C),使其在各种环境条件下都能保持稳定运行,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场合。
HY638256J-15主要应用于需要高速DRAM存储器的系统中,如早期的个人计算机(PC)、工业控制设备、嵌入式系统、通信设备以及测试测量仪器。在PC领域,该芯片常用于构建主存储器模块,如SIMM或DIMM内存条,提供系统运行所需的数据存储和缓存功能。在工业控制和嵌入式系统中,HY638256J-15可用于存储程序代码、实时数据和缓存信息,确保系统的高效运行。此外,该芯片也适用于一些需要高速数据存取的测试设备和网络设备,满足不同应用场景下的存储需求。
HY638256J-12, MT48LC16M2A2B4-6A, KM681000BJ-15