时间：2025/5/22 18:48:45
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FIR50N06LG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件设计用于需要高效率和低导通损耗的应用场景，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该芯片采用TO-220封装形式，能够提供较低的导通电阻以及较高的电流处理能力。由于其出色的电气性能和可靠性，FIR50N06LG在工业控制、消费电子和通信设备中得到广泛应用。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：14mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗Pd：189W
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
FIR50N06LG具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力（最大漏极电流可达50A），适合大功率应用。
3. 快速开关速度，可有效减少开关损耗并提升整体性能。
4. 强大的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装和使用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
FIR50N06LG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路，用于控制直流电机或无刷电机。
4. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品，例如充电器、适配器等。
IRL50N06,
FDP50N06,
STP50NF06,
IXTH50N06L
