2N7002KW_R1 是一款常用的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路和小功率放大电路中。该器件由ON Semiconductor生产,采用SOT-346(也称为TSOP)封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其主要特点是适合于低电压和低电流应用,能够承受的最大漏极电流为100mA,适用于便携式电子设备、电源管理和信号切换等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):100mA
导通电阻(RDS(on)):5Ω(典型值)
阈值电压(VGS(th)):1V至3V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-346(TSOP)
安装类型:表面贴装
2N7002KW_R1 具备一系列优良的电气和机械特性,使其在众多电子设备中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))为5Ω,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统的能效。其次,该MOSFET的高开关速度使其非常适合高频开关应用,如DC-DC转换器和PWM控制电路。
此外,2N7002KW_R1 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),这使得它能够在多种控制电路中灵活使用。同时,其阈值电压范围为1V至3V,意味着它可以与多种逻辑电平兼容,从而简化了电路设计。
在热性能方面,2N7002KW_R1 采用SOT-346封装,具有良好的散热性能,能够在恶劣的环境条件下保持稳定工作。工作温度范围从-55°C到+150°C,确保了其在极端温度下的可靠性。
最后,该器件的漏极电流能力为100mA,虽然相对较低,但在低功耗应用中已经足够,并且有助于延长电池供电设备的使用寿命。
2N7002KW_R1 由于其小型化、高可靠性和良好的性能,被广泛应用于各种电子设备中。常见的应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理电路,用于控制电池的充放电过程和电源切换。
在数字电路中,2N7002KW_R1 常用于信号切换和逻辑控制,作为开关元件实现电路的导通和断开。此外,它也常用于低功率放大器电路中,作为信号放大或缓冲器使用。
由于其高频响应特性,该MOSFET还适用于DC-DC转换器和PWM(脉宽调制)控制器,用于调节电压和电流输出。在汽车电子系统中,2N7002KW_R1 也可用于车载电源管理系统和LED照明控制电路。
总的来说,2N7002KW_R1 是一款多功能的MOSFET器件,适用于需要低功耗、小尺寸和高可靠性的各种应用场合。
2N7002K, 2N7002N, 2N7002E, BSS138