时间：2025/12/27 7:55:39
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FIR2N60BPG是一款由Fairchild Semiconductor（现为onsemi的一部分）生产的高压功率MOSFET晶体管，采用先进的平面条纹式硅栅极技术制造。该器件专为高电压、高效率开关应用设计，具备优良的开关性能和耐用性，广泛应用于电源转换系统中。FIR2N60BPG的漏源击穿电压高达600V，适合在需要承受高电压应力的环境中工作。其连续漏极电流能力在标准条件下可达2A，脉冲电流更高，能够满足多种功率需求。该MOSFET封装于TO-220FP或类似塑料封装中，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装在PCB上并配合散热器使用。由于其低导通电阻、快速开关速度以及优化的动态特性，FIR2N60BPG常用于AC-DC转换器、离线式开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-DC变换器等电力电子设备中。此外，该器件还具备优秀的抗雪崩能力和dv/dt能力，提升了系统的可靠性。产品符合RoHS环保要求，并通过了多项工业级认证，适用于工业控制、消费类电源及照明等领域。
型号：FIR2N60BPG
制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：2A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：8A
功耗（Pd）：50W
导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5Ω，最大值5.5Ω @ Vgs=10V
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：典型值520pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：典型值110pF
反向传输电容（Crss）：典型值19pF
栅极电荷（Qg）：典型值33nC @ Vds=480V, Id=2A
开启延迟时间（td(on)）：典型值18ns
关断延迟时间（td(off)）：典型值62ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220FP
FIR2N60BPG采用了先进的平面硅栅极工艺技术，这种结构在保证高电压阻断能力的同时，实现了较低的导通电阻和优异的开关特性。其600V的高漏源击穿电压使其能够在离线式电源系统中直接连接整流后的市电电压，无需额外的电压钳位或复杂的保护电路，简化了整体设计。器件的Rds(on)在室温下最大仅为5.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。特别地，在轻载和中等负载条件下，该MOSFET表现出色，非常适合作为主控开关管应用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构的开关电源中。
该MOSFET具备良好的热稳定性，得益于其TO-220FP封装设计，具有较低的热阻（Rth(j-c)），使得热量可以高效地从芯片传递到外部散热器，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，FIR2N60BPG拥有较高的dv/dt耐受能力，可有效防止因电压突变引起的误触发或寄生导通现象，增强了在高频开关环境下的鲁棒性。其栅极电荷（Qg）相对较低，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有利于降低驱动损耗并简化驱动器设计，尤其适合与PWM控制器配合使用。
在可靠性方面，FIR2N60BPG经过严格的测试验证，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统应对异常工况的能力。同时，该器件符合工业级质量标准，支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境温度下稳定运行。所有材料均符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适用于出口型电子产品和高可靠性应用场景。
FIR2N60BPG主要应用于各类中低功率的开关模式电源系统中，特别是在需要高电压隔离和高效能量转换的场合。它常见于交流输入的离线式电源适配器，如手机充电器、笔记本电脑电源、家电辅助电源等，作为主开关管实现能量从初级侧向次级侧的周期性传递。在LED照明驱动电源中，该器件可用于构建恒流输出的反激或降压-升压拓扑，确保LED灯珠获得稳定电流，延长使用寿命。此外，FIR2N60BPG也广泛用于工业控制设备中的DC-DC转换模块、小型逆变器、UPS不间断电源以及待机电源（standby power supply）电路中。
由于其高耐压和可靠的开关性能，该MOSFET还适用于家用电器内部的电源管理单元，例如空调、洗衣机、微波炉等产品的控制板供电电路。在太阳能微型逆变器或小型光伏储能系统中，FIR2N60BPG也可作为直流斩波或逆变桥臂的一部分，参与能量调节过程。其紧凑的TO-220FP封装使其易于集成到空间受限的设计中，同时保持良好的散热性能。对于研发工程师而言，该器件是评估新电源设计方案的理想选择，因其数据手册齐全、应用案例丰富，便于快速完成原理图设计、PCB布局和样机调试。
FQA2N60C/FSCQ2N60GT
