时间：2025/5/8 8:52:44
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FIN1108MTDX 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用而设计。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的开关性能和高效率，适用于通信、雷达、射频能量和其他高性能系统。
其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压以及优异的热性能，使其成为现代射频和微波应用的理想选择。
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压(V_DS)：100 V
最大栅源电压(V_GS)：±6 V
导通电阻(R_DS(on))：125 mΩ
连续漏极电流(I_D)：8 A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：24 A
栅极电荷(Q_g)：7 nC
反向恢复时间(t_rr)：< 20 ns
结温范围(T_j)：-55°C 至 +175°C
FIN1108MTDX 具备以下关键特性：
1. 基于氮化镓 (GaN) 的材料，具有高电子迁移率和低导通电阻。
2. 高击穿电压支持高功率应用，能够承受高达 100V 的工作电压。
3. 封装形式紧凑，适合空间受限的应用环境。
4. 极低的反向恢复时间和栅极电荷，确保高效的开关性能。
5. 支持高频操作，适用于射频放大器、DC-DC 转换器等场景。
6. 热性能出色，可有效延长使用寿命并提高系统可靠性。
7. 提供增强型模式操作，简化驱动电路设计。
FIN1108MTDX 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器，用于无线通信基站和雷达系统。
2. 高效 DC-DC 转换器，支持工业电源和服务器电源解决方案。
3. 射频能量设备，如等离子体发生器和感应加热装置。
4. 汽车电子系统中的高功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的高频驱动器和控制器。
6. 航空航天及国防领域的高性能射频组件。
FIN1108MDX
FIN1108MEX
