时间：2025/8/6 3:41:55
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FID36-06D是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管。该器件属于ST的PowerMESH系列，具有优异的导通性能和快速的开关特性，适用于高频率和高效率的功率转换应用。FID36-06D采用先进的制造工艺，确保了其在高温和高负载条件下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：36A
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
FID36-06D具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)典型值为7.5mΩ，在Vgs=10V的条件下，可以支持高电流的快速切换。此外，FID36-06D的栅极电荷（Qg）较低，进一步提升了其开关性能，减少了开关损耗。
该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。FID36-06D还具备优异的雪崩击穿耐受能力，确保在异常工作条件下器件的可靠性。
由于其优异的电气特性和热性能，FID36-06D广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、工业自动化和汽车电子等领域。
FID36-06D主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、工业电源以及汽车电子中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换的理想选择。
STP36NF06L, FDP36N06L, IRFZ44N
