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IXFP90N20X3M 发布时间 时间:2025/8/6 3:26:46 查看 阅读:12

IXFP90N20X3M 是一款由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件采用了先进的技术,确保在高电压和高电流条件下仍能保持稳定运行。IXFP90N20X3M 具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能,使其非常适合用于电源转换、电机控制和逆变器等应用领域。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流 (Id): 90A
  最大漏源电压 (Vds): 200V
  最大栅源电压 (Vgs): ±20V
  导通电阻 (Rds(on)): 最大 22 毫欧
  工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  封装类型: TO-247

特性

IXFP90N20X3M 的主要特性之一是其低导通电阻,这显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。该器件的最大导通电阻仅为 22 毫欧,确保在高电流应用中仍然能够保持较低的功耗。
  此外,IXFP90N20X3M 具备出色的耐压能力,最大漏源电压为 200V,这使得它能够在高电压环境中稳定运行。同时,其最大栅源电压为 ±20V,提供了较大的栅极驱动灵活性。
  在热性能方面,IXFP90N20X3M 设计有良好的散热能力,能够在高温环境下正常工作,其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。这一特性确保了器件在极端温度条件下仍能保持高可靠性。
  该器件的封装形式为 TO-247,这种封装提供了较大的散热面积,同时便于安装和使用在多种电路设计中。TO-247 封装也广泛应用于功率电子领域,具有良好的兼容性和可靠性。

应用

IXFP90N20X3M 由于其高电流、高耐压和低导通电阻的特性,广泛应用于多个高功率领域。其中,最常见的应用之一是电源转换系统,如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块和开关电源(SMPS)。在这些系统中,IXFP90N20X3M 能够提供高效率和稳定的性能,减少能量损耗并提高整体系统效率。
  此外,该器件还常用于电机控制和驱动系统,特别是在工业自动化和电动工具中。其高电流能力和低导通电阻使其能够驱动大功率电机,同时保持较高的效率和较低的发热。
  在逆变器系统中,例如太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和变频器中,IXFP90N20X3M 同样表现出色。它能够在高频开关条件下保持稳定运行,从而提高逆变器的转换效率和响应速度。
  除此之外,IXFP90N20X3M 还适用于电池管理系统、电动汽车充电器、电焊机和高频感应加热设备等应用。在这些高功率、高要求的系统中,该器件能够提供优异的性能和长期的可靠性。

替代型号

IXFN90N20T, IRF1405, STP90NF20, FDP90N20

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IXFP90N20X3M参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥76.32000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.8 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)78 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5420 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220 隔离的标片
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片