时间：2025/4/27 9:52:24
阅读：5
FHW1812IF2R2JST 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，主要用于高频开关电源、适配器和工业电源应用。该芯片采用超小型封装设计，能够提供高效率、高功率密度的解决方案，同时具备出色的热性能和可靠性。其内置驱动电路和保护功能，简化了系统设计并提高了整体稳定性。
该型号适用于消费电子、通信设备以及工业自动化等领域的高效率电源管理需求。
型号：FHW1812IF2R2JST
封装：DFN8
额定电压：650V
导通电阻：2.2mΩ
最大电流：18A
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
开关频率：高达 2MHz
输入电容：1250pF
输出电容：95pF
反向恢复时间：无（由于 GaN 技术特性）
FHW1812IF2R2JST 是基于最新一代氮化镓场效应晶体管（e-mode GaN HEMT）技术制造，具备以下显著特性：
1. 高开关频率支持，能够实现小型化磁性元件设计，从而大幅减少电源系统的体积和重量。
2. 极低的导通电阻 (2.2mΩ)，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
3. 内置全面的保护功能，包括过流保护、短路保护和过温保护，确保在异常条件下依然安全运行。
4. 超低栅极电荷 (45nC)，有效减少开关损耗，特别适合高频应用场景。
5. 支持宽范围的工作温度 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种恶劣环境下的稳定运行需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子设备中。
这款芯片主要应用于以下领域：
1. 快速充电器和 USB-PD 适配器。
2. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
3. 工业电机驱动及控制单元。
4. 通信基站中的高效 DC-DC 转换模块。
5. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源解决方案。
6. LED 照明驱动器和投影仪电源系统。
FHW1812IF2R2JST 的高效率和紧凑设计使其成为上述应用的理想选择。
FHW1812IF2R7JST
FHW1212IF2R2JST
GAN063-650WSA
