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IXGH16N170AH1 发布时间 时间:2025/8/6 7:34:48 查看 阅读:31

IXGH16N170AH1是一款由Littelfuse(原IXYS公司)生产的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专门设计用于高功率应用。这款晶体管采用了先进的制造技术,提供了优异的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  材料:硅
  最大集电极-发射极电压(Vce):1700V
  最大集电极电流(Ic):16A
  最大功耗(Ptot):200W
  增益带宽积(fT):5MHz
  封装类型:TO-247

特性

IXGH16N170AH1晶体管具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压(Vce)为1700V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压电源和工业设备。其最大集电极电流(Ic)为16A,能够处理较大的电流负载,满足高功率需求。
  其次,IXGH16N170AH1的最大功耗为200W,具备良好的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定性能。其封装采用TO-247标准,具备良好的散热性能,便于安装和集成到各种电路设计中。

应用

IXGH16N170AH1晶体管广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业控制领域,它常用于驱动大功率负载,如电机和加热元件,确保系统的稳定运行。在电源转换系统中,该晶体管可用于开关电源、逆变器和整流器,提供高效的能量转换能力。此外,IXGH16N170AH1还适用于电机驱动系统,能够有效控制电机的速度和扭矩,满足不同工况下的需求。在电力电子设备中,该晶体管可用于高压电源、不间断电源(UPS)和电焊机等设备,确保其高效、可靠地运行。由于其优异的电气特性和热稳定性,IXGH16N170AH1也被广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统。

替代型号

IXGH16N170AH1的替代型号包括IXGH16N170A和IXGH16N170C

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IXGH16N170AH1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)5V @ 15V,11A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)16A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装