时间：2025/5/26 11:27:52
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FHW1210HCR18JGT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，采用超小型DFN封装形式。它专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。
该芯片结合了先进的材料特性和优化的电路设计，能够显著提升电源转换效率并减小整体解决方案尺寸。
型号：FHW1210HCR18JGT
类型：GaN 功率晶体管
封装：DFN-8 (1.75mm x 1.65mm)
额定电压：650V
额定电流：9A
导通电阻：18mΩ（典型值，@25°C）
栅极驱动电压：6V/12V
最大工作结温：175°C
反向恢复电荷：3nC（典型值）
开关频率范围：高达5MHz
FHW1210HCR18JGT 具备卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻和开关损耗，适合高频应用。
2. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护。
3. 高度集成的设计减少了外围元件的数量，从而简化了电路设计。
4. GaN 技术提供了比传统硅基 MOSFET 更高的效率和更快的开关速度。
5. 超紧凑的封装有助于实现更小尺寸的电源模块。
6. 可靠性经过严格测试，满足工业级标准。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于各种高性能电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS），特别是笔记本适配器和快充设备。
2. DC-DC 转换器，用于数据中心及通信电源系统。
3. 无线充电发射端与接收端。
4. 汽车电子中的 DC-DC 转换和车载充电器。
5. 工业电机驱动和光伏逆变器。
6. 激光雷达（LiDAR）和其他需要高速开关的应用场景。
FHW1210HCR16JGT
FHW1210HCR20JGT
GAN042-650WSA
TPG1302-65DS
