制造商：Vishay Semiconductor
　　产品系列：FHW
　　二极管配置：双路，共阴极
　　最大直流反向电压（VR）：30 V
　　最大平均整流电流（IO）：1 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：15 A
　　最大正向电压（VF）：420 mV（在1 A时）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 μA（在25°C，25 V时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 1 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：DFN-10（3 mm × 3 mm）
　　高度：0.95 mm
　　引脚数：10
　　湿气敏感等级（MSL）：1（无限）
　　焊接回流温度（峰值）：260°C

FHW1008UC015GGT采用先进的平面肖特基技术，具备极低的正向导通压降，典型值仅为420 mV，在1 A电流下显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这一特性使其在低电压、大电流的电源转换应用中表现尤为出色，例如在同步整流DC-DC变换器中可有效替代传统PN结二极管，减少发热并提升能效。该器件的反向恢复时间极短，通常小于1纳秒，几乎不存在反向恢复电荷，因此在高频开关电路中能够大幅降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性与响应速度。
　　该二极管阵列为双芯片共阴极结构，两个二极管集成在同一封装内，确保了良好的匹配性和热耦合性，适用于需要对称性能的差分信号处理或双通道整流电路。其DFN-10封装具有低热阻特性，结至外壳的热阻（RthJC）低至15°C/W，有利于热量快速传导至PCB，从而支持持续高电流运行。封装底部设有散热焊盘，建议在PCB布局时将其可靠接地以增强散热效果。
　　FHW1008UC015GGT具有出色的反向击穿电压稳定性，最大反向电压为30 V，适用于3.3 V、5 V和12 V电源系统中的瞬态电压抑制和反向隔离。其在高温环境下仍保持较低的漏电流，即使在125°C高温下，反向漏电流也控制在可接受范围内，保证了系统在恶劣工况下的可靠性。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（PCT）等应力测试中均满足汽车电子的严苛要求，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理等应用场景。
　　DFN封装的小型化设计（3 mm × 3 mm）使其非常适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。其无铅、无卤素的环保设计符合现代绿色电子制造标准。器件还具备优良的机械强度和抗振动能力，适合自动化贴片生产流程。总体而言，FHW1008UC015GGT是一款高性能、高可靠性的肖特基二极管阵列，兼顾效率、尺寸与环境适应性，是现代高频电源和信号处理系统的理想选择。

FHW1008UC015GGT广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对效率和空间有严格要求的设计。常见应用包括同步整流型DC-DC转换器，用于替代MOSFET体二极管以实现更低的导通损耗；在便携式设备的电池充电管理电路中，作为防反接和电压隔离元件；在多路电源系统中用于OR-ing二极管功能，实现冗余电源切换。此外，该器件也常用于信号整流、电压钳位、ESD保护以及高速数据线的瞬态抑制电路中。由于其通过AEC-Q101认证，因此在汽车电子领域如车载摄像头、雷达模块、LED照明驱动和车载充电器中也有广泛应用。工业控制、通信模块和消费类电子产品同样是其主要应用方向。

FHW1008UC015GKT
　　SPM2K30AL-HF
　　MBRB140U-R2