FHR8050Y 时间：2025/12/28 0:32:36 阅读：25

FHR8050Y是一款由富满微电子集团股份有限公司（FMCH）生产的高性能、高可靠性的场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等中低功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备低导通电阻、优良的热稳定性和快速开关特性，能够在较小的封装尺寸下实现高效的能量传输和较低的功耗。FHR8050Y属于N沟道增强型MOSFET，其设计目标是在12V至30V工作电压范围内提供卓越的性能表现，特别适用于对效率和空间有严格要求的便携式设备和工业控制模块。该产品符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在复杂电磁环境和宽温度范围条件下稳定运行。由于其出色的性价比和稳定的供货能力，FHR8050Y已成为国内众多电源方案中的主流选择之一，广泛用于各类消费类电子产品、智能家电、LED照明驱动及通信设备中作为关键开关元件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：50A
　　脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤12mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤16mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3600pF
　　输出电容（Coss）：约750pF
　　反向恢复时间（trr）：约35ns
　　二极管正向电流（IS）：50A
　　最大功耗（PD）：约250W（TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F / TO-263（D2PAK）可选

特性

FHR8050Y具有优异的电气特性和结构设计，使其在同类产品中表现出色。首先，其超低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效。在VGS=10V时，RDS(on)不超过12mΩ，在VGS=4.5V时也仅为16mΩ，这使得该器件即使在栅极驱动电压较低的应用场景下仍能保持高效导通，非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的控制系统。
　　其次，FHR8050Y采用了优化的沟槽栅结构和硅片工艺，大幅提高了载流子迁移率并减小了寄生参数，从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。其输入电容约为3600pF，输出电容约为750pF，配合较短的反向恢复时间（trr≈35ns），能够有效减少在高频PWM调制下的动态损耗，提升DC-DC变换器的工作频率上限与响应速度。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在瞬态过载或短路情况下维持一定时间的安全运行。其最大连续漏极电流可达50A，脉冲电流支持高达200A，满足大电流启动或突加负载的需求。同时，宽达-55℃至+150℃的工作结温范围使其可在极端环境下可靠工作，增强了在工业级应用中的适应性。
　　封装方面，FHR8050Y提供TO-220F和TO-263两种常用封装形式，便于手工焊接与自动化贴装，且具备良好的散热性能。内置的快速体二极管也支持反电动势泄放，在电机驱动和继电器控制等感性负载应用中发挥重要作用。整体而言，FHR8050Y是一款兼顾性能、成本与可靠性的中高压MOSFET器件。

应用

FHR8050Y凭借其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关特性，被广泛应用于多种电力电子领域。在开关电源（SMPS）系统中，它常用于Buck、Boost及Flyback拓扑结构中的主开关管或同步整流管，尤其适合12V/24V输入的中小功率AC-DC适配器和DC-DC模块电源设计。
　　在电机驱动方面，该器件可用于直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂开关元件，控制电机正反转与调速。得益于其快速响应能力和耐受反电动势的能力，FHR8050Y在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）和小型机器人中表现出良好稳定性。
　　此外，FHR8050Y还常见于电池管理系统（BMS）、热插拔控制器和负载开关电路中，用于实现过流保护、软启动和电源路径切换功能。在LED恒流驱动电源中，也可作为主控开关参与调光与稳压控制。
　　工业自动化设备、通信电源、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等领域同样大量采用该型号。其高性价比和稳定供货使其成为替代进口品牌（如ST、ON Semi、Infineon）同规格产品的理想选择，尤其适用于国产化替代项目。随着国内对核心元器件自主可控需求的增长，FHR8050Y的应用前景持续扩大。