型号：FHP7N65
　　封装类型：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.95Ω，最大值1.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约1100pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：约350pF
　　反向传输电容(Crss)：约60pF
　　栅极电荷(Qg)：约25nC @ Vgs=10V, Id=7A
　　体二极管反向恢复时间(Trr)：约120ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

FHP7N65具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中高压功率应用中表现突出。首先，其650V的高漏源击穿电压确保了在高压线路中的安全运行，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计。该器件的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时最大仅为1.2Ω，这一低阻值有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。同时，FHP7N65在设计中优化了栅极电荷Qg，典型值约为25nC，使得在高频开关应用中能够显著减少驱动损耗和开关过渡时间，从而支持更高频率的操作，缩小外围滤波元件的尺寸。
　　该MOSFET采用了平面型场效应晶体管结构，结合富满电子成熟的工艺控制技术，保证了产品的一致性和可靠性。其体二极管具有较低的反向恢复电荷和约120ns的反向恢复时间，有助于降低开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，FHP7N65具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强电源系统的鲁棒性。器件的工作结温可达+150°C，并具备良好的热阻特性，配合适当的散热设计可长期稳定运行于高温环境。
　　在可靠性方面，FHP7N65通过了严格的工业级测试标准，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）和高湿度高偏压测试（H3TRB），确保其在恶劣环境下的长期稳定性。其±30V的栅源电压耐受能力也提升了对栅极驱动电路异常波动的容忍度，避免因过压导致器件损坏。TO-220封装形式不仅提供了良好的机械强度，还具备较高的热传导效率，适用于自然对流或强制风冷的散热方案。综上所述，FHP7N65凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和良好性价比，成为中小功率电源产品中的优选器件。

FHP7N65广泛应用于各类需要高效、高耐压功率开关的电子设备中。在AC-DC开关电源领域，它常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构中作为主开关管，适用于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块等消费类电子产品。由于其具备650V的高耐压能力，能够适应宽范围交流输入电压，因此在单端反激变换器中表现出良好的稳定性和效率。在LED照明驱动电源中，FHP7N65可用于隔离式恒流驱动方案，满足商业照明、户外路灯及室内灯具对高效率和长寿命的要求。
　　此外，该器件也适用于小型逆变器和UPS不间断电源系统，作为DC-AC转换环节中的关键开关元件，帮助实现直流到交流的高效转换。在工业控制领域，FHP7N65可用于电机驱动电路、电磁阀控制和继电器驱动模块，提供可靠的功率开关功能。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也可用于工业电源、医疗设备电源和智能电表等对可靠性要求较高的场合。
　　在新能源应用方面，FHP7N65可应用于太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）中的辅助电源模块等场景。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低系统功耗，延长设备运行时间。同时，该MOSFET还可用于各种离线式电源模块、POS机电源、智能家居控制板电源等嵌入式系统中，作为核心功率开关器件。得益于其标准化封装和广泛的应用验证，FHP7N65已成为众多电源工程师在中等功率段进行设计选型时的重要参考器件。

FPQ7N65
　　KIA7N65
　　STP7NK65ZFP
　　FQP7N65C
　　2SK3562