FHP6N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高电压应用中。它具有低导通电阻和快速开关速度,能够在高频条件下保持较高的效率。
FHP6N60采用TO-220封装形式,适合表面贴装或通孔安装,其耐压能力高达600V,可满足大多数高压电路的需求。由于其出色的电气特性和可靠性,该器件成为许多工业和消费类电子产品中的理想选择。
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:6A
脉冲漏极电流:36A
导通电阻(典型值):1.8Ω
总功耗:115W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
1. 高击穿电压:600V,适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为1.8Ω,从而减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力:支持高频开关操作,适合现代高效能电源设计。
4. 良好的热稳定性:可在较宽的温度范围内工作,确保可靠运行。
5. 小巧封装:采用标准TO-220封装,便于集成到各类电路板设计中。
1. 开关电源(SMPS):
FHP6N60的高耐压和低导通电阻使其成为开关电源的理想选择,能够显著提升转换效率。
2. 电机驱动:
适用于直流无刷电机(BLDC)等驱动场景,支持精确的PWM控制。
3. 逆变器:
用于太阳能逆变器或其他类型逆变器中,提供高效的功率转换。
4. 工业控制:
包括电磁阀驱动、继电器控制等领域,实现高可靠性的功率切换功能。
5. 消费电子保护:
如过流保护、负载开关等应用,保障设备安全。
IRF640N
STP6NK60Z
FDP6N60