FHP12N60是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器等高电压场景。该器件采用N沟道增强型技术,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提高效率并减少能量损耗。
FHP12N60的设计使其在高频率应用中表现出色,同时支持较宽的工作温度范围,确保在各种环境下的稳定性。
型号:FHP12N60
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:600V
额定电流:12A
导通电阻:3.5Ω
栅极电荷:80nC
最大功耗:160W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FHP12N60具有以下关键特性:
1. 高击穿电压(600V),适用于多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻(3.5Ω),有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 支持宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),保证了在极端环境下的可靠性。
5. 内部设计优化,提升了散热性能,从而延长了使用寿命。
6. 栅极电荷低(80nC),减少了开关损耗。
7. 符合RoHS标准,绿色环保。
FHP12N60广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 太阳能逆变器
4. 电池管理系统(BMS)
5. 电动工具和家电中的功率转换
6. 工业自动化设备中的电源管理模块
其高压和高效的特点使其成为需要高性能功率转换和控制应用的理想选择。
FHP15N60, IRF640N, STP12NM60