时间：2025/12/28 0:24:54
阅读：26
FHP100N08是一款由富满电子（FMEX）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器及开关电源等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽式硅工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够在高温和高电压环境下稳定工作。FHP100N08的命名中，“100”代表其最大漏源击穿电压为100V，“08”表示其典型导通电阻约为8mΩ，适用于中压大电流应用场景。
该MOSFET通常封装在TO-220、TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）等常见功率封装形式中，具有良好的散热性能和安装兼容性，便于在各种PCB设计中使用。FHP100N08的设计注重能效与可靠性，在同步整流、电池管理系统、电动工具电源模块等领域表现出色。此外，该器件还具备优异的抗雪崩能力和较高的dv/dt抗扰度，能够有效应对瞬态过压和电流冲击，提升系统的整体鲁棒性。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：400A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（@Vgs=10V, Id=50A）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：4500pF（@Vds=50V）
输出电容（Coss）：1100pF（@Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：25ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220/TO-252/TO-263
FHP100N08采用先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统整体效率。其8mΩ的低Rds(on)特性使得在大电流应用中发热量更小，有助于减少散热器尺寸和系统成本。同时，该器件具有优异的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能，避免因温度上升导致的性能下降或热失控问题。
该MOSFET具备快速开关能力，得益于其优化的栅极结构和较低的输入/输出电容，能够实现高频开关操作，适用于现代高频开关电源和DC-DC变换器。其4500pF的输入电容和1100pF的输出电容在同类产品中处于较优水平，有助于降低驱动电路的功耗并提升响应速度。此外，FHP100N08的阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容标准逻辑电平和通用驱动IC，方便与PWM控制器或微处理器直接接口控制。
在可靠性方面，FHP100N08经过严格的质量测试，具备良好的抗雪崩能力，能够在突发短路或感性负载断开时承受瞬态能量冲击而不损坏。其高达±20V的栅源电压耐受能力也增强了对栅极驱动噪声的抵抗能力，防止误触发或栅氧层击穿。器件的工作结温可达+175℃，表明其可在恶劣工业环境中长期稳定运行。TO-220等标准封装形式不仅提供了良好的机械强度，还支持通孔或表面贴装工艺，适应多种生产需求。
FHP100N08广泛应用于各类需要高效功率切换的电子设备中。在开关模式电源（SMPS）中，常用于主开关管或同步整流器，利用其低导通电阻和快速开关特性提升转换效率，降低温升。在DC-DC降压或升压变换器中，该器件作为高端或低端开关使用，尤其适合大电流输出的应用场景，如服务器电源、通信电源模块等。
在电机驱动领域，FHP100N08可用于H桥电路中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，广泛应用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中。其高电流承载能力和快速响应特性可确保电机平稳启动和精确调速。此外，在电池供电系统（如便携式设备、电动自行车、UPS不间断电源）中，该MOSFET可用于电池保护电路或充放电控制回路，提供过流、短路保护功能。
由于其良好的热性能和高可靠性，FHP100N08也适用于汽车电子辅助电源系统、LED驱动电源以及太阳能逆变器等新能源领域。在这些应用中，器件需长时间工作在高温、高湿或振动环境中，FHP100N08的稳定性能可保障系统安全运行。同时，其标准化封装便于替换和维护，有利于产品设计的模块化和可扩展性。
IRF100N08S,STP100N8F6,IPB010N10N3,FDD100N08B
