时间：2025/7/11 17:02:16
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FHF7N65是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压和高效率的开关应用，广泛用于工业、汽车及消费电子领域。其设计优化了导通电阻和开关性能，在高频开关条件下表现出色。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：2.9Ω
栅极电荷：38nC
总电容：1540pF
功耗：14W
FHF7N65采用先进的工艺制造，具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达650V的工作电压。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够满足高频工作条件下的需求。
4. 具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
5. 小尺寸封装，便于电路板布局和节省空间。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的要求。
FHF7N65适用于多种电力电子设备，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动器
5. 电池管理系统
6. 工业控制与保护电路
由于其高耐压和低损耗特点，该MOSFET非常适合需要高效能源管理的应用环境。
FQD18N65,
IRFP460,
FDP18N65,
STP7NK65Z,
IXTH7N65L
