时间：2025/9/14 9:19:07
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PSMN4R6-60PS,127是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场合。该MOSFET采用TSSOP（Thin Small Outline Plastic）封装，具备良好的热性能和空间效率，适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：4.6mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.8V至3.0V
功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TSSOP
PSMN4R6-60PS,127具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的额定漏源电压为60V，能够应对中高功率应用中的电压应力。此外，它具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了在不同驱动条件下的可靠性。
该MOSFET采用TSSOP封装，具备良好的散热性能，同时节省PCB空间，适用于高密度设计。该封装还支持表面贴装技术（SMT），简化了制造流程并降低了生产成本。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
PSMN4R6-60PS,127还具备出色的热稳定性与抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。其设计符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。
PSMN4R6-60PS,127广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及汽车电子系统等。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，该MOSFET常用于高效能功率转换和负载控制。由于其符合AEC-Q101标准，它也常见于汽车电子应用，如车载充电器、电动助力转向系统和电池供电模块等。
PSMN5R8-60YS,127
PSMN3R8-60PS,127
PMV39EPE
BSC0906NS
