型号：FHF18N50
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）@25°C：18A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on)：典型值0.22Ω，最大值0.27Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.5V，范围2.0~4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1200pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约470pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：约65ns
　　最大功耗（Pd）：200W @ Tc=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

FHF18N50具备出色的高压耐受能力，其500V的漏源击穿电压使其能够胜任多种高压开关应用场合。这使得它非常适合用于离线式开关电源设计中，尤其是在需要直接连接到整流后市电的应用场景下，如AC-DC适配器、服务器电源模块和LED驱动电源等。该器件在高电压条件下仍能维持较低的漏电流，从而有效降低待机功耗和静态损耗，提高整个系统的能源利用效率。
　　该MOSFET具有相对较低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时典型值仅为0.22Ω，这意味着在大电流导通状态下产生的I2R损耗较小，有利于提升系统效率并减少散热需求。这对于紧凑型高功率密度电源尤为重要，因为它可以减小对散热片的要求，进而缩小整体体积和成本。同时，低Rds(on)也有助于延长电池供电设备的工作时间或提升持续负载能力。
　　其栅极电荷（Qg）适中，约为60nC左右，在保证快速开关的同时不会显著增加驱动电路的负担。这一特性使FHF18N50在高频开关应用中表现出色，例如在LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中，能够实现更高的转换频率而不导致过高的驱动损耗。此外，输入电容和输出电容的匹配良好，有助于优化EMI性能和环路稳定性。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力和优秀的热稳定性。其内部结构经过优化，能够在瞬态过压情况下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许将热量有效地传递至散热器，确保长时间运行时结温处于安全范围内。综合来看，FHF18N50是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的高压MOSFET解决方案。

FHF18N50主要应用于各类需要高效能、高电压功率开关的电子系统中。常见用途包括通用开关电源（SMPS），特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构中作为主开关管使用。这类电源广泛存在于笔记本电脑适配器、台式机电源、电视机和显示器电源板中。
　　在LED照明领域，FHF18N50可用于恒流驱动电路，尤其是高亮度LED路灯、工业照明和商业照明系统中，支持宽输入电压范围下的稳定调光与高效工作。其快速开关特性有助于实现精确的PWM调光控制，并减少光闪烁问题。
　　此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压转换器，尤其在输入电压较高的工业电源系统中表现优异。例如太阳能逆变器前端、电信整流模块和UPS不间断电源等设备中，FHF18N50可作为关键开关元件参与能量转换过程。
　　在电机控制方面，FHF18N50可用于小型电机驱动电路，如风扇、泵类设备或家用电器中的单相感应电机驱动。虽然其封装限制了在极高频率下的使用，但在中等频率下仍能提供可靠的开关性能。同时，其内置的快速恢复体二极管可简化H桥或推挽电路设计，减少外部续流二极管的数量。
　　其他应用还包括电子镇流器、焊机电源、激光电源模块以及各种工业自动化设备中的功率控制单元。凭借其坚固的封装和稳定的电气特性，FHF18N50能在恶劣环境（如高温、高湿、电磁干扰强）下长期稳定运行，满足工业级产品的可靠性要求。

STP18N50U
　　FQP18N50
　　2SK3569
　　2SK3570