型号：FHF13N50
　　制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：13A
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　栅源电压（VGSS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：0.58Ω
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 5V）：0.75Ω
　　栅极电荷（Qg typ）：67nC
　　输入电容（Ciss typ）：1100pF
　　输出电容（Coss typ）：190pF
　　反向恢复时间（trr）：75ns
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220/TO-220F

FHF13N50具备多项优异的电气与热力学特性，使其在高压功率MOSFET市场中具有较强的竞争力。首先，其500V的高漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，能够在整流后的高压直流母线上稳定工作，有效支持宽输入电压范围的应用场景。其次，该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为0.58Ω，这一低RDS(on)值显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效，尤其在大电流持续工作的条件下优势明显。
　　此外，FHF13N50优化了栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss）之间的平衡，使得其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。67nC的典型栅极电荷意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片的成本。同时，其输入电容和输出电容分别为1100pF和190pF，在高频下仍能保持良好的响应速度，有助于减少开关延迟和电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备出色的热稳定性与可靠性。采用TO-220封装，具有较低的热阻（RθJC约1.0°C/W），能够有效地将芯片产生的热量传导至散热器，防止因过热导致的性能下降或损坏。其工作结温范围高达+150°C，并通过了严格的雪崩测试，具备一定的抗浪涌能力和能量耐受性，可在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=75ns），减少了在续流过程中的反向恢复电荷，从而降低了开关节点的电压尖峰和EMI噪声，特别适用于硬开关拓扑如反激式（Flyback）或正激式（Forward）转换器。此外，FHF13N50符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环境友好性的要求。综合来看，这些特性使FHF13N50成为中高功率开关电源设计中的理想选择。

FHF13N50主要应用于各类需要高压、中等电流开关功能的电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关器件用于离线式AC-DC开关电源，例如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视电源模块等，其500V耐压能力可直接接入整流后的市电母线，无需额外的降压电路。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，FHF13N50凭借其低导通电阻和良好的开关特性，能够实现较高的转换效率和稳定的输出性能。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在光伏系统、工业电源和LED恒流驱动电源中作为功率开关元件。在LED照明驱动领域，FHF13N50可用于隔离型或非隔离型拓扑，提供高效的能量转换，满足高亮度LED对稳定电流和低纹波的要求。
　　在电机控制方面，FHF13N50可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，特别是在H桥或半桥拓扑中作为上桥臂或下桥臂开关，实现精确的速度与方向控制。其快速的开关响应和较低的导通损耗有助于提高电机驱动系统的动态响应和能效。
　　另外，该MOSFET还可用于逆变器电路、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块，以及各种工业自动化设备中的电源模块。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，FHF13N50也适用于环境较为恶劣的工业应用场景。总之，凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，FHF13N50在消费电子、工业控制、新能源等多个领域均有广泛应用。

K13N50, KF13N50, STP13N50, FQP13N50