类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，@VGS=4.5V）
　　栅极电荷（QG）：9.5nC
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　封装类型：PowerSSO-10

STD1235具备多项高性能特性，首先是其双通道设计，允许在单个封装中实现两个独立的功率开关，从而节省PCB空间并简化设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。此外，每个通道可支持高达5.5A的连续漏极电流，使其适用于中高功率应用。
　　该MOSFET支持逻辑电平栅极驱动（最低4.5V即可完全导通），因此可直接与微控制器或逻辑IC配合使用，无需额外的栅极驱动电路。此外，其热阻较低，具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　STD1235还内置了过热保护和过电流保护机制，提升了系统的可靠性和安全性。其封装形式为PowerSSO-10，具有良好的散热性能，适合高密度电路设计。这些特性使得STD1235在电池供电设备、DC-DC转换器、电机驱动和车载电子系统中表现优异。

STD1235广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和移动电源）、汽车电子系统（如车灯控制、电动窗和车载充电器）、工业控制系统（如PLC和自动化设备）以及消费类电子设备（如打印机、扫描仪和家用电器）。
　　由于其双通道MOSFET结构和高效能特性，该器件非常适合用于负载开关、电源管理、电机控制和LED照明调节等场景。此外，在需要高可靠性和高能效的嵌入式系统中，STD1235也常用于实现智能电源分配和热插拔保护功能。

Si8414DB, TPS27082L-Q1, FDMS86101