FHD1664Q 时间：2025/12/28 0:33:16 阅读：25

FHD1664Q是一款由富士通（现为索斯科Socionext）推出的高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电情况下长期保存数据，同时支持几乎无限次的读写操作，远超传统EEPROM和闪存的技术限制。FHD1664Q采用先进的铁电存储技术，具有卓越的耐久性和可靠性，适用于对数据记录频率高、写入速度要求严苛以及需要在恶劣环境下稳定运行的应用场景。该芯片广泛应用于工业控制、智能仪表、汽车电子、医疗设备和物联网终端等领域。其封装形式通常为小型化的8引脚SOIC或TSSOP，便于在空间受限的PCB设计中使用。FHD1664Q的工作电压范围宽，支持2.7V至3.6V供电，兼容3.3V逻辑电平，内置自动写保护机制，防止因误操作或电源波动导致的数据损坏。此外，该器件无需充电泵或定时擦除操作，简化了系统设计，提升了整体系统的稳定性与响应速度。

参数

型号：FHD1664Q
　　存储容量：16 Kbit (2 K × 8)
　　接口类型：I2C 串行接口（标准/快速/高速模式）
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读写耐久性：10^14 次写入周期
　　数据保持时间：10 年（在+85°C下）
　　写入时间：典型值150 μs（无延迟写入）
　　封装形式：8-pin SOIC 或 TSSOP
　　待机电流：≤ 10 μA（典型值）
　　工作电流：≤ 3 mA（在1 MHz I2C时钟下）
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　设备地址：可配置通过A0-A2引脚设置
　　最大时钟频率：400 kHz（快速模式），支持1 MHz高速模式（部分版本）

特性

FHD1664Q的核心优势在于其采用的铁电存储单元技术（FeRAM），该技术利用Pb(Zr,Ti)O3（PZT）材料的极化状态来存储数据，实现非易失性的同时具备与DRAM相当的读写速度。与传统的EEPROM相比，FHD1664Q无需进行扇区擦除操作，支持字节级的直接写入，极大提升了写入效率并减少了CPU等待时间。其写入耐久性高达10^14次，意味着即使每秒写入一次，也能持续工作超过300万年而不损坏，彻底消除了存储寿命瓶颈。
　　该芯片支持标准I2C通信协议，兼容多种主控MCU，包括ARM Cortex-M系列、PIC、AVR等，通信速率最高可达1 Mbps（高速模式），显著优于传统EEPROM的写入速度。在电源管理方面，FHD1664Q具备低功耗特性，在待机状态下电流消耗极低，适合电池供电或能量采集系统。此外，芯片内部集成上电复位电路和电压监控模块，确保在电源不稳定或启动过程中不会发生数据错误写入。
　　为了增强数据安全性，FHD1664Q提供硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时允许写操作；拉高时则锁定整个存储阵列，防止意外修改。地址引脚A0-A2可编程，允许多达8个相同型号的FRAM器件挂载在同一I2C总线上，扩展系统存储能力而无需增加额外的控制器资源。所有写操作均无需预擦除步骤，且写入完成后立即生效，不存在“写入延迟”问题，非常适合用于实时数据记录、事件日志、校准参数保存等关键应用场景。

应用

FHD1664Q因其高耐久性、快速写入和非易失性特点，被广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在工业自动化中，常用于PLC控制器中的运行参数存储、设备状态记录和故障日志保存，能够应对频繁的数据更新需求。在智能电表、水表和燃气表中，作为计量数据的实时缓存存储器，确保每次用量变化都能迅速写入并长期保存，避免因断电导致数据丢失。
　　在汽车电子系统中，FHD1664Q可用于记录车辆行驶数据、ECU配置参数、诊断信息等，尤其是在启停系统或新能源车中，电源切换频繁，传统EEPROM容易因写入延迟或寿命不足导致数据丢失，而FRAM则能完美胜任。医疗设备如监护仪、血糖仪等依赖该芯片存储患者测量数据和设备校准信息，确保数据完整性和合规性。
　　在物联网终端设备中，例如远程传感器节点、环境监测装置，FHD1664Q可在低功耗模式下实现周期性数据存储，配合能量采集技术延长电池寿命。此外，在POS终端、打印机、复印机等办公设备中，用于保存交易记录、计数器信息和用户设置，提升系统响应速度和用户体验。其宽温工作能力和抗辐射特性也使其适用于部分军工和航空航天领域的嵌入式系统。