ETQP3M100KVN 时间：2025/5/23 3:15:31 阅读：11

ETQP3M100KVN 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率应用中。其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供良好的散热性能。

参数

型号：ETQP3M100KVN
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：100V
　　RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　ID（连续漏极电流）：78A
　　Qg（总栅极电荷）：49nC
　　EAS（雪崩能量）：2.4J
　　封装：TO-263 (D2PAK)
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

ETQP3M100KVN 具有出色的电气性能，能够在高频率和高电流条件下保持高效运行。
　　1. 低导通电阻（RDS(on)）显著降低了传导损耗，提升了系统效率。
　　2. 快速开关能力使其适用于高频开关应用，减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量（EAS）增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 支持宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
　　这款 MOSFET 在高功率密度应用中表现出色，同时具备较高的性价比。

应用

ETQP3M100KVN 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动：包括工业电机、家用电器中的电机控制。
　　3. 太阳能逆变器：用于光伏系统的电力转换。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车的电源管理。
　　5. 电池管理系统（BMS）：保护电池免受过充或过放。
　　6. 工业自动化设备中的电源模块。
　　其强大的电流承载能力和低功耗特性使其成为许多高功率应用的理想选择。