型号：FHA9N90-TU
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4.8 A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：19 A
　　功耗（PD）：150 W
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.1 Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS, 125°C：1.8 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1000 pF
　　输出电容（Coss）：160 pF
　　反向恢复时间（trr）：75 ns
　　栅极电荷（Qg）：85 nC
　　二极管正向电流（IS）：2.4 A
　　二极管反向恢复电荷（Qrr）：100 nC
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FHA9N90-TU采用安森美先进的超级结（Super Junction）结构和Trench沟槽工艺技术，实现了在900V高电压等级下仍具备较低的导通电阻，显著降低了导通损耗，提升了整体电源系统的转换效率。其典型的RDS(on)为1.1Ω，在高温环境下（如125°C）仍能保持低于1.8Ω的水平，表现出良好的温度稳定性。这种低RDS(on)特性使其在大功率应用中能够有效减少发热，提高系统可靠性。此外，该器件具有较高的栅极电荷（Qg = 85nC）与输出电荷（Qoss），在高频开关应用中需配合适当的驱动电路以优化开关速度与EMI性能。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，包括较低的输入和输出电容（Ciss=1000pF, Coss=160pF），有助于减小驱动损耗并提升开关响应速度。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=75ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr=100nC），在反激式（Flyback）或LLC谐振转换器中可减少二次侧环流损耗，避免因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，从而增强系统稳定性。
　　在可靠性方面，FHA9N90-TU经过严格的设计和测试，具备高雪崩能量耐受能力，能够承受意外的电压过冲和瞬态应力，适用于电网波动较大的工业环境。其150W的最大功耗和TO-220F封装提供了良好的热传导路径，便于通过散热片进行有效散热，延长器件寿命。同时，该器件支持宽范围的工作结温（-55°C至+150°C），适应严苛的工作环境。内置的快速体二极管也使其适用于需要续流功能的拓扑结构，如PFC升压电路和反激变换器。

FHA9N90-TU广泛应用于多种高电压、中等功率的开关电源系统中。典型应用包括离线式AC-DC电源适配器、LED恒流驱动电源、电视和显示器的主电源单元、工业控制电源模块以及通信设备中的DC-DC前端转换器。由于其900V的高耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的电源设计，尤其是在有源功率因数校正（PFC）电路中作为升压开关管使用，能够有效提升功率因数并满足能源效率标准。在反激式（Flyback）和准谐振（QR）电源拓扑中，该器件凭借其快速开关特性和低Qrr体二极管，有助于实现高效率和低EMI的电源设计。此外，在高亮度LED照明系统中，FHA9N90-TU可用于隔离式或非隔离式降压/升压拓扑，提供稳定可靠的功率开关功能。其高可靠性和耐用性也使其适用于户外照明、工业照明和智能家电等对长期运行稳定性要求较高的场景。对于需要高耐压和良好热性能的太阳能微逆变器或小型光伏电源系统，该器件同样是一个合适的选择。

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　　 "FQA9N90C",
　　 "STL9N90K5",
　　 "IRFGB40",
　　 "KSB9N90Y",
　　 "APT9N90B"
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