型号：FHA20N50
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：20A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：≤0.22Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：≤0.27Ω
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：~1600pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：~470pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：~45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

FHA20N50具备多项关键特性，使其在高压功率开关应用中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压电源系统中的安全运行，尤其适用于AC-DC整流后级的开关管应用，如反激式或正激式拓扑结构。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，对于需要长时间持续工作的电源设备尤为重要。例如，在满载20A电流下，其最大RDS(on)为0.22Ω时，导通损耗仅为P = I2 × R = 400 × 0.22 = 88W，虽然仍需良好散热，但相较于早期MOSFET已有明显改善。
　　其次，FHA20N50采用了优化的硅基工艺和结构设计，实现了输入电容与开关速度之间的良好平衡。其输入电容约为1600pF，在高频开关环境下仍能保持较快的开关响应速度，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗。这对于提升开关频率、减小磁性元件体积具有重要意义。此外，该器件的栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，兼容多数PWM控制器的输出电平，支持直接驱动，简化了外围驱动电路设计。
　　再者，FHA20N50具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持可靠工作。其最大工作结温可达150℃，结合合理的PCB布局和散热措施，可在高温工业环境中长期稳定运行。体二极管的存在也为感性负载提供了必要的续流通路，减少了外部并联二极管的需求，节省了成本和空间。最后，该器件符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品设计。

FHA20N50的应用领域非常广泛，主要集中在各类中高功率开关电源系统中。最常见的应用场景是作为主开关管用于AC-DC电源适配器、充电器、LED恒流驱动电源以及工业用开关电源模块中，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中担任功率切换角色。其500V的耐压能力足以应对整流后的市电峰值电压，即使在电网波动较大的地区也能保证安全裕量。
　　此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压变换器，尤其是在输入电压较高的太阳能逆变系统或通信电源系统中，FHA20N50可以作为同步整流管或主开关管使用，提高能量转换效率。在电机驱动领域，它可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现对电机方向和速度的精确控制。
　　在逆变器系统中，FHA20N50可用于半桥或全桥拓扑结构中的开关元件，将直流电转换为交流电输出，常见于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器和小型家用逆变设备中。由于其具备一定的高频开关能力，配合合适的驱动电路，可以在20kHz至100kHz范围内高效运行，避免人耳可听噪声的同时提升系统动态响应。
　　另外，该器件还可用于电子镇流器、电焊机电源、电磁感应加热设备等高功率密度应用场合。其TO-220封装形式便于安装散热片，适合风冷或自然冷却环境下的长期运行。总体而言，FHA20N50凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，成为许多中高端功率电子系统的首选MOSFET之一。

IRFPG50
　　FQP20N50
　　STP20NK50ZFP
　　K20N50