芯片型号：FH82C246
　　制造商：Fujitsu（富士通）
　　器件类型：DRAM控制器
　　支持内存类型：FPM DRAM, EDO DRAM
　　数据总线宽度：32位
　　地址总线宽度：24位（可寻址16MB物理内存）
　　工作电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装形式：100-pin PQFP
　　内存刷新控制：支持CAS-before-RAS (CBR) 刷新模式
　　最大内存容量支持：32MB（依赖于外部内存模块配置）
　　时钟频率支持：最高33MHz系统时钟输入
　　访问周期典型值：70ns - 80ns（取决于内存颗粒速度）
　　控制信号输出：RAS, CAS, WE, OE, CLK等完整控制线

FH82C246 DRAM控制器的核心特性在于其对早期动态存储器架构的高度集成化支持，能够在无需外部复杂逻辑电路的情况下完成对FPM（快速页模式）和EDO（扩展数据输出）类型DRAM的有效管理。该芯片内置了完整的地址多路复用机制，将来自CPU的线性地址分解为行地址和列地址，并通过RAS和CAS信号分时驱动至DRAM芯片，显著简化了主板设计中的内存子系统布线复杂度。此外，FH82C246具备自动刷新控制功能，能够根据设定的刷新周期定时发出刷新命令，确保DRAM中电容数据不会因漏电而丢失，这对于维持系统长期稳定运行至关重要。
　　该控制器还支持多种等待状态插入机制，可根据所连接内存的速度差异动态调整读写时序，兼容不同速度等级的DRAM模组，增强了系统的灵活性与适配能力。在性能方面，FH82C246优化了突发访问效率，在连续读取操作中减少地址重载时间，尤其在FPM模式下表现出优于标准DRAM控制器的数据吞吐率。同时，其低功耗设计在当时的技术条件下实现了较好的能效平衡，适合应用于对散热和电源管理有一定要求的工业环境。
　　FH82C246集成了错误检测辅助逻辑，虽然不支持ECC纠错功能，但可通过奇偶校验接口与外部逻辑协同实现基本的内存错误提示，有助于提升关键任务系统的可靠性。该芯片还提供灵活的片选和Bank控制信号，支持多Bank内存结构扩展，便于构建更大容量的内存系统。由于其引脚定义清晰且资料相对完整，FH82C246也成为许多复古计算爱好者进行老式计算机修复和定制开发的重要元件之一。

FH82C246主要应用于20世纪90年代中期的各类工业控制设备、嵌入式控制系统、POS终端、早期PC/AT兼容机主板以及某些专用通信设备中。它常见于需要稳定运行且使用FPM或EDO DRAM的系统平台，作为北桥芯片组的一部分或独立内存控制器存在。在工业自动化领域，该芯片被用于PLC控制器、人机界面（HMI）设备和数控机床的主控板上，承担实时数据缓存与程序加载任务。此外，在一些老旧的网络路由器、电话交换机和测试测量仪器中也能发现其身影。由于其工作环境适应性强，可在较宽温度范围内稳定运行，因此特别适用于对长期可靠性和维护周期有较高要求的应用场景。目前，FH82C246更多用于老旧设备的替换维修、博物馆级计算机复原项目以及电子工程教学示范中，帮助学生理解传统内存控制原理和总线时序机制。

MB82C246