您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FH20X563K302EHG

FH20X563K302EHG 发布时间 时间:2025/6/4 0:07:33 查看 阅读:3

FH20X563K302EHG 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件适用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,有助于提高电路板的集成度和可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:100kHz~1MHz
  结温范围:-55℃~175℃
  封装形式:TO-247

特性

FH20X563K302EHG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频工作环境,减少磁性元件的体积和成本。
  3. 高雪崩耐量能力,增强在异常条件下的保护性能。
  4. 具备优异的热稳定性和可靠性,适合长时间连续运行。
  5. 封装设计优化散热性能,便于安装与维护。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或升压开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
  5. 各种工业控制设备中的负载切换功能。

替代型号

IRFP460, FDP18N65C3, STW93N65M2