时间：2025/6/4 0:07:33
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FH20X563K302EHG 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件适用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，有助于提高电路板的集成度和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：80nC
开关速度：100kHz~1MHz
结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
FH20X563K302EHG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，能够适应高频工作环境，减少磁性元件的体积和成本。
3. 高雪崩耐量能力，增强在异常条件下的保护性能。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性，适合长时间连续运行。
5. 封装设计优化散热性能，便于安装与维护。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或升压开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
5. 各种工业控制设备中的负载切换功能。
IRFP460, FDP18N65C3, STW93N65M2
