类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：约35mΩ
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Pd）：300W

FGZ75N65WE具有多项优异特性，使其在高压和高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低（约35mΩ），有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件具备650V的高耐压能力，使其适用于中高电压电力系统，如电源供应器、逆变器和电机驱动器。此外，75A的最大漏极电流允许其在高负载条件下稳定运行，满足高功率需求。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关速度和响应性能，从而减少了开关损耗，提升了系统的动态性能。同时，其栅极电压范围为±20V，提供了更大的驱动灵活性，并增强了器件的抗干扰能力。
　　FGZ75N65WE的TO-247封装设计具有优异的热管理性能，能够有效散热，防止过热损坏。这一特性使其在高温环境下也能保持稳定的性能，延长了器件的使用寿命。此外，其高可靠性设计使其能够适应恶劣的工作环境，适用于工业级和汽车电子应用。
　　值得一提的是，该MOSFET具备良好的短路保护能力，能够在异常工作条件下提供一定的安全保障。这种特性对于需要高可靠性的系统（如电动汽车充电器和工业自动化设备）尤为重要。

FGZ75N65WE因其高性能和高稳定性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于高效开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，以提升整体转换效率并减少能量损耗。在电机控制方面，该器件可用于变频器和伺服驱动器，实现精准的速度和扭矩控制，提高设备运行的稳定性。
　　此外，FGZ75N65WE在可再生能源系统中也扮演重要角色。例如，在太阳能逆变器中，该MOSFET可以作为主开关器件，将太阳能板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。其高效率和高耐压特性有助于提升系统的整体性能，并延长设备的使用寿命。
　　在电动汽车领域，FGZ75N65WE可用于车载充电模块和电机控制器，提供高效的电能转换和稳定的驱动性能。其良好的散热设计和高可靠性使其适合在严苛的车载环境中运行。
　　除此之外，该器件还广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统和LED照明驱动器等领域。其多功能性和高稳定性使其成为工程师在高压和高功率应用中的首选。

FGZ80N65WE、FGZ75N65FD、FGZ70N65WE、FGZ90N65WE