类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：110A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：约3.2mΩ
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-264

MJ10041 的最大优势在于其出色的导电性能和热稳定性。其低 Rds(on) 特性显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力（高达 110A）使其适用于需要大电流驱动的场景。TO-264 封装提供了良好的热管理能力，确保在高功率工作条件下仍能维持稳定运行。MJ10041 具有较高的耐压能力（100V），适用于中高功率应用，如 DC-DC 转换器、逆变器、电池管理系统（BMS）和电机控制电路。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流冲击，提高了器件的可靠性和寿命。此外，MJ10041 在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于汽车电子、工业自动化和可再生能源系统等对温度要求较高的应用场景。其栅极驱动电压范围宽（可达 ±20V），支持灵活的驱动设计，并可通过适当的驱动电路实现快速开关，从而降低开关损耗。
　　在封装方面，TO-264 是一种常见的功率 MOSFET 封装形式，具备良好的散热能力和机械强度，适用于高功率密度电路的设计。这种封装形式也便于安装散热片，以进一步提高热管理性能。

MJ10041 主要用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业控制设备等。其高电流和高耐压特性使其成为电动工具、电动汽车（EV）充电系统、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用的理想选择。此外，由于其具备良好的抗冲击和高温稳定性，MJ10041 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制系统等。

SiHF100N10T, IXFN110N10T2, FDP100N10, IRF1010Z