时间：2025/5/7 15:06:22
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FGY75T95SQDT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用 TO-263 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，能够有效提升系统效率并降低热损耗。
其内部结构设计优化了栅极电荷特性，从而提高了动态性能，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：95V
最大连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
总电容（输入电容）：1500pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263
FGY75T95SQDT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在额定条件下为 1.8mΩ，有助于减少功率损耗。
2. 较高的电流承载能力，最大支持 75A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度得益于优化的栅极电荷设计，可显著降低开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 到 175℃)，适应各种极端环境条件。
5. 可靠性高，经过严格的工艺控制和测试流程以确保长期稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，满足绿色能源需求。
FGY75T95SQDT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
2. 工业设备中的电机驱动与控制。
3. 大功率负载开关和保护电路。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器、电动车控制器等。
5. 高效功率转换模块及各类工业自动化系统。
这款功率 MOSFET 因其卓越的性能表现特别适合于对效率和散热有严格要求的应用场景。
FGY75T95SBDT, IRF7595TRPBF, STP75N95M5
