时间：2025/8/16 22:25:58
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2N7002是一种常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路和小功率放大电路中。它采用TO-92封装，具有较高的可靠性和稳定性，适合用于逻辑控制、驱动小型负载如LED、继电器或电机等。2N7002的工作电压和电流参数适中，非常适合在低电压环境下使用，例如在数字电路和嵌入式系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：115mA（连续）
功耗(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-92
2N7002 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，它的栅极绝缘层采用了高品质的氧化物材料，使得栅极输入阻抗非常高，从而显著降低了控制电路的负担。这使得2N7002能够非常容易地被微控制器等数字器件驱动。其次，该器件的导通电阻较低，在低电压条件下也能保持良好的导通性能，这使其在低功耗应用中表现尤为出色。
此外，2N7002的封装设计采用了TO-92标准封装，这种封装不仅小巧轻便，而且具有良好的散热性能，适用于各种PCB布局。在热性能方面，其最大功耗为300mW，确保在正常工作条件下不会因过热而失效。2N7002的极限参数设计使其能够在较为严苛的环境中运行，包括工业和汽车电子系统。
2N7002由于其良好的性能和可靠性，广泛应用于各种电子电路中。其最常见的用途之一是作为低侧开关，用于控制小型负载，例如LED、继电器或微型电机。在嵌入式系统和微控制器项目中，2N7002经常被用来扩展I/O端口的驱动能力，因为它可以将微控制器的弱信号转换为足以驱动负载的强信号。
2N7000, BS170, FDV301N, 2N3904
