类型：功率模块
　　器件结构：双路 SiC MOSFET + SBD
　　最大漏极电流（Id）：400A
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　栅极驱动电压（Vgs）：+20V/-5V
　　导通电阻（Rds(on)）：14mΩ
　　工作温度范围：-40°C 至 +175°C
　　封装形式：双列直插式（Dual-PACK）
　　热阻（Rth(j-c)）：0.23°C/W

FGY4L140T120SWD 的核心特性之一是其采用先进的 SiC 半导体技术，相比传统的硅基 IGBT 模块，能够提供更低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该模块具有较高的击穿电压（1200V），适合应用于高压和大功率场景。
　　另一个显著优势是其出色的高温运行能力。由于采用了耐高温材料和优化的内部结构设计，FGY4L140T120SWD 可以在高达 175°C 的结温下稳定工作，这使得它非常适合用于散热条件受限或需要长时间高负载工作的设备。
　　模块内部集成了两个 SiC MOSFET 器件，并配有高性能的肖特基势垒二极管（SBD）。这种集成设计不仅提高了系统的可靠性，还减少了外部电路的设计复杂度。同时，模块的封装设计考虑了机械强度和电气绝缘性能，确保在恶劣环境下仍能正常运行。
　　此外，FGY4L140T120SWD 提供了良好的可焊性和安装兼容性，支持多种安装方式，便于在不同的 PCB 设计中使用。模块的封装形式为双列直插式（Dual-PACK），有助于简化散热器的安装和维护过程。

FGY4L140T120SWD 广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，例如电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器、工业电机驱动器、储能系统以及不间断电源（UPS）等。
　　在电动汽车充电站中，FGY4L140T120SWD 能够提供高效的电能转换，减少能量损耗，提高整体系统的可靠性和使用寿命。在光伏逆变器中，该模块的高开关频率特性有助于减小滤波器体积，提升系统功率密度。
　　此外，在工业自动化领域，如伺服驱动器和变频器中，FGY4L140T120SWD 能够实现快速响应和精确控制，满足高性能电机控制的需求。对于数据中心和通信基础设施中的不间断电源系统，该模块的高效能和稳定性也使其成为理想选择。

FSH4L140N120T-F085, SCT3040KL, FF400R12KT4_B2