FGW75N65WE 时间：2025/8/9 19:08:33 阅读：6

FGW75N65WE 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET，采用先进的Super Junction技术，专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件的额定漏极电流为75A，漏源击穿电压为650V，适用于各种高功率应用，如电源适配器、服务器电源、太阳能逆变器和工业电源系统。FGW75N65WE 采用TO-247封装，具备良好的热性能和机械稳定性，能够在高负载条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。

参数

型号：FGW75N65WE
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.085Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约100nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

FGW75N65WE 的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这一特性显著降低了导通损耗，使其适用于高电流应用。该器件采用Super Junction技术，使得在高电压下依然能够保持低导通电阻，从而提高整体能效。此外，FGW75N65WE 具备优异的开关性能，快速的开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和高功率转换器。该器件的热阻较低，具备良好的散热性能，可在高负载条件下长时间稳定运行。
　　TO-247封装形式不仅提供了良好的热管理能力，还具备较高的机械强度，适合在恶劣环境中使用。FGW75N65WE 的设计确保了其在高温条件下的稳定性和可靠性，适合长期运行的工业和电力应用。此外，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障，减少因过压或过流导致的器件损坏风险。

应用

FGW75N65WE 主要应用于高功率和高效率要求的电力电子系统中。例如，它常用于服务器电源、电信设备电源、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用场景。由于其高耐压能力和低导通电阻，FGW75N65WE 也非常适合用于DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动系统。在工业自动化和能源管理系统中，该器件的高效能和可靠性使其成为理想的功率开关元件。