时间：2025/5/20 19:50:56
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FGW60N65WE 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沣道高压 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换应用，如开关电源、电机驱动和逆变器等。其额定电压为 650V，最大连续漏极电流可达 60A，能够在高频条件下高效运行。
FGW60N65WE 的封装形式为 TO-247，便于散热和安装，适合工业级和商业级应用场景。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：60A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总栅极电荷：95nC
输入电容：3050pF
结温范围：-55℃ 至 +175℃
FGW60N65WE 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压 (650V)，能够承受较高的瞬态电压。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on) 为 0.18Ω)，可显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计。
4. 高效的热性能，采用 TO-247 封装以实现更好的散热效果。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 能够在恶劣环境下工作，具备出色的耐用性和稳定性。
7. 可用于多种拓扑结构，包括升压、降压、半桥和全桥电路。
FGW60N65WE 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
3. 工业电机驱动和伺服控制系统。
4. 不间断电源 (UPS) 和电池充电器。
5. 电动工具和家电设备中的功率开关。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的 DC-DC 转换器及辅助电源模块。
7. 高频焊接机和感应加热设备。
FGH60N65SMD
IRFP460
FDP60N65A
