时间：2025/8/9 0:11:49
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FGW60N65W是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用N沟道结构，设计用于高效能、高可靠性的电力电子系统。FGW60N65W以其高耐压（650V）、大电流容量（60A）和低导通电阻而著称，适用于诸如开关电源（SMPS）、电机控制、UPS系统和光伏逆变器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.18Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
FGW60N65W具有多项优异的电气和热性能。其高耐压能力使其能够在高压环境中稳定工作，适用于需要高可靠性的应用。低导通电阻不仅降低了导通损耗，还提高了系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力使其适合用于大功率负载的控制。
FGW60N65W采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和散热性能，从而提高了器件的稳定性和寿命。其TO-247封装形式便于安装和散热片连接，适用于各种高功率电路设计。
此外，FGW60N65W具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。这使得该器件在工业和电力电子应用中具有很高的实用价值。
FGW60N65W主要用于需要高功率和高效率的电力电子设备中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机驱动器以及光伏系统中的功率转换模块。此外，由于其高可靠性和稳定性，该器件也可用于工业自动化控制系统和电动车辆的电力管理系统中。
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