时间：2025/8/9 8:14:15
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FGW50N65WE是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率MOSFET晶体管，属于其Super Junction MOSFET产品线。该器件设计用于需要高效能和低导通损耗的应用场景，特别适用于高电压和中等电流的功率转换系统。FGW50N65WE采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：50A（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约3V至5V
Rds(on)：通常低于0.15Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Pd）：180W
FGW50N65WE采用了富士电机先进的Super Junction技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而提高了整体效率并减少了功率损耗。由于其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），该器件在高频开关应用中表现出色，适合用于电源转换器、逆变器和其他需要快速开关的场景。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高耐压能力，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。
FGW50N65WE的封装设计优化了散热性能，使得器件在高负载情况下仍能维持较低的温度上升。这种特性对于需要长时间运行或在高环境温度下工作的设备至关重要。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，进一步增强了其可靠性和耐用性。
FGW50N65WE广泛应用于各种电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及LED照明驱动器等。由于其高效率和高耐压特性，它特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
FGW50N65WED, FGW50N65SMD
