时间：2025/8/9 20:05:15
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FGW50N60HD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的MDmesh技术，旨在提供低导通电阻、高开关性能和出色的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电源应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.16Ω（典型值0.13Ω）
栅极电荷（Qg）：典型值为93nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：典型值为200W
FGW50N60HD具有多项关键特性，使其成为高效率电源设计的理想选择。首先，其采用的MDmesh技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的高耐压能力（600V）使其适用于多种高压应用，如工业电源、电机控制和照明系统。
其次，FGW50N60HD具备优异的开关性能，能够快速响应开关信号，减少开关损耗。这在高频开关电源中尤为重要，因为它可以提高系统的开关频率而不增加过多的损耗，从而减小电感和电容的体积，实现更紧凑的设计。
FGW50N60HD广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括：工业电源、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、照明镇流器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，使其在这些高要求的应用中表现出色。
STW55N60HD, FGL50N60HD, IPW50N60HD
