时间：2025/4/28 20:42:44
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FGL60N100BNTDTU 是一款高压 N 沃特型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适用于工业、通信和消费类电子设备中的电源转换、电机驱动和其他功率管理场景。
此 MOSFET 的封装形式通常为 TO-247 或类似大功率封装，便于散热并支持高电流操作。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：60A
导通电阻：3.5Ω（典型值）
栅极电荷：150nC（典型值）
开关时间：ton=80ns，toff=60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FGL60N100BNTDTU 具备以下显著特点：
1. 极高的耐压能力，适合高电压应用场景。
2. 超低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
3. 快速的开关性能，支持高频工作环境。
4. 高温适应性，确保在极端条件下可靠运行。
5. 优化的热性能设计，提高功率密度和系统效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计。
2. 工业逆变器与变频器。
3. 太阳能光伏逆变器。
4. 高效电机驱动控制。
5. 不间断电源（UPS）系统。
6. 各种需要高压大电流处理能力的电路模块。
FGH60N100BDTDTU, IRFP260N, STW80NM100K5
