BUK9Y53-100B 是一款由安森美(onsemi)推出的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件设计用于高频开关应用中,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它适用于各种电源转换电路、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景。
BUK9Y53-100B 在高压和高电流环境下表现优异,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:8A
导通电阻:25mΩ
栅极电荷:47nC
总功耗:10W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备低栅极电荷,简化了驱动电路设计。
5. 工作结温高达+150℃,适应苛刻的工作环境。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压功能。
3. 电机控制与驱动,例如无刷直流电机(BLDC)驱动。
4. LED照明驱动电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, STP80NF10L