时间：2025/5/12 15:28:00
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FGL60N100BNTD 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沁高压 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高电压、高功率的应用场景，例如开关电源、电机驱动和逆变器等。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够在高频条件下保持高效性能。
这款 MOSFET 的设计注重提高效率和减少损耗，同时提供良好的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.95Ω
栅极电荷：160nC
输入电容：3300pF
反向恢复时间：85ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力：最大漏源电压达 1000V，适用于高电压应用场景。
2. 大电流承载能力：可支持高达 60A 的连续漏极电流，确保在高负载条件下的稳定运行。
3. 快速开关特性：低栅极电荷和短反向恢复时间使其适合高频开关应用。
4. 低导通电阻：导通电阻仅为 0.95Ω，在大电流应用中降低功耗。
5. 稳定性：工作温度范围广，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种环境条件。
6. 高效散热：TO-247 封装提供了良好的热性能，便于热量散发。
7. 可靠性：经过严格的测试，具备高可靠性和长寿命。
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 逆变器
4. UPS 不间断电源
5. 太阳能逆变器
6. 高频 DC-DC 转换器
7. 电动车辆的电力系统
8. 高压工业设备控制
FGH60N100BNTD
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