2SK2226-01L 时间：2025/8/9 3:47:18 阅读：15

2SK2226-01L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关和功率放大器应用。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。其主要设计用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器以及各类高效率电源系统。2SK2226-01L采用SOP（Small Outline Package）封装形式，便于在高密度PCB上安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大源极电压（VSSD）：30V
　　最大漏极电流（ID）：5.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：约28mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　最大耗散功率（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

2SK2226-01L具有多个关键特性，使其在中低功率应用中表现出色。首先，其较低的导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通损耗，提高整体效率。其次，该器件具备高开关速度，适合用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸并提升系统效率。
　　此外，2SK2226-01L采用了先进的平面条形MOSFET结构，有助于均匀分布电流并提升热稳定性，从而延长器件的使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V、5V及10V逻辑电平驱动，适用于多种控制方案。
　　封装方面，SOP封装不仅提供了良好的散热性能，而且体积小巧，便于在空间受限的应用中使用。2SK2226-01L还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。

应用

2SK2226-01L广泛应用于多种电源管理与功率电子设备中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高效率和高频开关能力，2SK2226-01L也适用于通信设备中的电源模块、LED驱动器以及便携式电子产品的功率管理电路。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。
　　对于需要紧凑设计和高效能的电源系统，2SK2226-01L是一个理想的选择，能够有效提升整体系统性能并降低功耗。