时间：2025/5/10 8:55:13
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FGHL75T65MQD是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提高系统效率并降低能耗。
该MOSFET属于N沟道增强型器件，主要应用于工业和汽车领域，其设计旨在满足高可靠性要求的场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：75A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：130nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-247
FGHL75T65MQD具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达650V的工作电压，适用于高电压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻（仅为18mΩ），有助于减少功率损耗，提升整体能效。
3. 快速开关性能，可实现高效的高频操作。
4. 良好的热性能和高电流承载能力，确保在大功率场景下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 工作温度范围宽广，适合恶劣环境下的使用需求。
FGHL75T65MQD广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中作为功率开关或同步整流器。
3. 电动车辆及混合动力汽车中的电机控制器。
4. 工业设备中的变频器和逆变器。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
6. 各类需要高压大电流切换的应用场景。
FGH75T65MD
IRFP460
FDP18N65
