时间：2025/5/12 11:20:02
阅读：7
FGHL50T65MQD是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频和高效功率转换应用。该器件采用了先进的封装工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高工作电压的特点，适用于要求高性能和高效率的场景。
该型号属于氮化镓功率器件系列，设计用于工业和消费类电子产品的电源管理模块，例如适配器、快充设备、服务器电源以及可再生能源逆变器等。
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2230pF
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-247-4L
FGHL50T65MQD的主要特性包括：
1. 高击穿电压能力（650V），能够支持更高的直流母线电压，适合宽范围输入应用。
2. 极低的导通电阻（15mΩ），减少传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，并允许使用更小的无源元件。
4. 内置反向恢复二极管功能，优化了同步整流和续流路径的应用。
5. 支持硬开关和软开关拓扑，提供灵活的设计选择。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
7. 可靠性经过严格测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。
FGHL50T65MQD广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，用于提高功率密度和效率。
2. USB-PD快充适配器，支持更高功率输出和更快充电速度。
3. 服务器及通信电源中的PFC（功率因数校正）电路，提升能源利用效率。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统，实现高效的能量转换。
5. 电机驱动和工业电源，提供更强的负载能力和稳定性。
6. LED照明驱动器，支持更高亮度和更复杂的调光控制。
FGH050T65SMD, EPC2020, Infineon IPW60R090C6
