FGH75T65UPD 时间：2025/4/28 20:44:10 阅读：2

FGH75T65UPD 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于高电流和高频开关应用。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能。该功率 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景。
　　FGH75T65UPD 的耐压值高达 650V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻（典型值为 0.75Ω），从而降低了功率损耗并提高了整体效率。

参数

最大漏源电压：650V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：12A
　　脉冲漏极电流：36A
　　导通电阻：0.75Ω
　　总栅极电荷：45nC
　　输入电容：1500pF
　　输出电容：480pF
　　反向传输电容：200pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

1. 高耐压能力，最大漏源电压达 650V，适合高压环境下的应用。
　　2. 导通电阻低至 0.75Ω，有效减少功率损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关特性，总栅极电荷仅为 45nC，适用于高频开关电路。
　　4. 具备出色的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常工作。
　　5. 封装形式为 TO-263，具有良好的散热性能和易于安装的特点。
　　6. 内部集成 ESD 保护电路，提高了器件的可靠性。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

FGH75T65UPD 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
　　3. PFC (功率因数校正) 电路中的功率开关元件。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
　　6. 各种需要高效功率管理的电子设备中作为开关或整流器件使用。